概述：SENM3Dx是一款CMOS磁场传感器，它能够在同一时间、同一位置采集所有三个磁场分量（Bx、By 和 Bz）。该传感器集成了三组相互正交的霍尔效应元件（一组水平元件和两组垂直元件），并且为每组元件都配备了偏置电路和放大器。集成的霍尔元件结构非常紧凑，仅占据约 100×100㎛ ²的小面积。这使得该传感器具有极高的空间分辨率。所采用的 CMOS 技术能够在制造垂直和水平霍尔元件时实现高精度，从而使得三个测量 / 灵敏度轴 Bx、By 和 Bz 具有较高的角度精度（正交性）。在霍尔元件的偏置中应用旋转电流技术可显著抑制失调、低频噪声以及平面霍尔效应。该传感器提供从直流到 220 khz的高模拟带宽。内置的温度传感器能够测量磁场敏感区域内的当前芯片温度。

特点：

具备真正的三维磁场测量功能，且能够选择激活的灵敏度轴；可同时选择任意一个、两个或全部三个轴进行测量；

拥有模拟、脉宽调制（PWM）以及串行外设接口（SPI 5V)）数字接口；

磁场分辨率高，可达 1 µT；

磁场敏感体积为 100×100×10 µm3；

测量范围可选择，范围从 20 mT到 4 T；

模拟频率带宽高，从直流到 220 kHz；

内置温度传感器；

可在芯片上对灵敏度、失调、噪声和温度漂移进行校正，且可在电可擦可编程只读存储器（EEPROM）中设置相关参数；

能够分别针对每个霍尔传感器（Bx、By 和 Bz）进行可调节的信号调理；

每个通道都配备可编程阈值比较器，从而实现信号电平检测功能。

典型应用：三维定位传感器，用于操纵杆的线性和角度测量，也可作为角度传感器；一维、二维、三维接近传感器；可选择任意轴且测量范围可选的电流传感器；磁力计、多探头测量装置，例如传感器阵列。

销售电话：15601837360