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先导元创精密 碳化硅部件聚焦环
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商品介绍

应用场景:刻蚀设备中,放在晶圆外部,施加电压到环上,从而聚焦通过环的等离子体;提高刻蚀的一以及准确性致性,并保护腔体以及刻蚀设备。

特点和指标:CVD方法合成,组分为 SiC多晶,结晶性良好,内部的晶型取向以 (111) 主导;采用美国先进 CVD沉积技术,负压沉积,前驱体转化率 90% 以上,特殊的表面处理技术,提高产品使用寿命。

 

产品性能

指标

 

晶相

 

(111 )Preferred

 

纯度

 

> 6N ( 详见右表 )

 

电阻率(Ω·cm 

 

10-3 ~  104

晶粒尺寸(μm 

 

0.5 ~ 10

 

密度(g/cm3

 

3.2

硬度(GPa 

23 - 35

热导率(W/m·K 

120 - 240

热膨胀系数(x 10-6/K 

3.8 - 4.5±0.5

模量(GPa 

4 - 20

强度(MPa 

400 - 750

杂质元素

 

wt - ppm

杂质元素

 

wt - ppm

 

Al

 

 0.05

 

Mn

 

 0.01

 

Ca

 

 0.05

 

Mo

 

 0.05

 

Cr

 

 0.1

Ni

 

 0.3

 

Co

 

 0.01

 

K

 

 0.01

 

Cu

 

 0.05

 

Na

 

 0.08

 

Fe

 

 0.1

 

Ti

 

 0.01

 

Li

 

 0.01

 

V

 

 0.005

 

Mg

 

 0.01

 

Zn

 

 0.01

销售电话:156o183736o

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