应用场景：刻蚀设备中，放在晶圆外部，施加电压到环上，从而聚焦通过环的等离子体；提高刻蚀的一以及准确性致性，并保护腔体以及刻蚀设备。

特点和指标：由 CVD方法合成，组分为 SiC多晶，结晶性良好，内部的晶型取向以 (111) 主导；采用美国先进 CVD沉积技术，负压沉积，前驱体转化率 90% 以上，特殊的表面处理技术，提高产品使用寿命。

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应用场景：先导高纯气体过滤器，耐450℃极端工况，并为高纯气体应用提供 1.5 纳米的颗粒过滤，实现更高的工艺气体吞吐量。可应用于未来先进器件、光伏、生命科学和锂离子电池。

主要优势：耐高温450℃、过滤精度高达 1.5nm。

特点和指标：

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产品简述：高性能，高可靠性的单级及多级热电制冷器。采用自研的碲化铋基热电材料，具有高 Z 值系数及高抗屈强度的材料特点。制冷器使用半导体加工工艺制造，具有良好的尺寸一致性及内部晶粒装配精度。可定制的陶瓷材料，表面工艺，焊接材料及端子连接方式，方便满足不同领域的应用需求。

主要优势：无声音或振动；单级 75K的制冷深度，多级达到120K 制冷深度；高可靠性，满足GR-468标准；固态运行特性。

应用领域：光通，数通；激光器制冷及功率感应；红外探测器；医疗检测；半导体制造。

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应用场景：刻蚀设备、薄膜沉积设备(PVD&CVD)。

特点和指标：密封面粗度行业领先，TM/LL/PM(传输腔/过渡腔/反应腔)一站式供应；腔体涂层有阳极/APS/刷镍三种能力；刻蚀反应腔体高温阳极密封能力。

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应用场景：显示面板、太阳能硅片 /电池片、晶圆等半导体制程中的终点检测，提高产品良率，降低生产成本。

特点和指标：波长范围：200~1100nm（根据客户配置）；光学分辨率：＜1nm@25μm 狭缝（FWHM）；传感器：CCD/CMOS（根据客户配置）；工作温度：5~50℃；检测材料：电介质、硅类、半导体化合物、金属及其化合物等；可根据客户需求更换狭缝、光栅、传感器、滤光片来配置所需的分辨率、波长范围、信噪比、杂散光等关键参数。

参数：

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应用场景：半导体前制程设备如 ETCH、CVD 等设备中；可提供更高的工艺一致性、稳定性、可重复性。

特点和指标：机加工设备进口确保上万毫米小孔一致性；OGF、ALD、APS 多种涂层能力确保不同场景下使用寿命。

参数：

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应用场景：VSI PL600T是一个单通道、非接触高温计，产品基于黑体辐射理论接收待测物体发射的窄波段辐射能量的总和来确定物体温度，测温范围达 -50到600摄氏度。广泛应用于加热炉、食品、烟草、热处理、半导体等各种工业场合的温度测量。

主要特点：

·支持多通道级联实现多路温度实时监测；

·非接触，可实现原位温度测量；

·优异的稳定性，重复性可达 ±0.5% 或 ±0.5℃；

·具有 22:1 光学分辨率，适合需要节省空间的工业环境；

·标配软件并接受客户定制。

技术指标：

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产品介绍：VSI PSU-HV-10W-XX 系列是一款紧凑型、高性能10W直流电源模块，可提供1kV 到10kV 输出电压。VSI PSU-HV-10W-XX 系列高压直流电源可提供正的或负的极性输出，可以选择RS-232 或 RS-485 数字控制输出电压，也可以通过内部的电位器进行预设调节输出电压。

应用场景：光电倍增管、静电印刷、电子束和离子束、电子倍增管检测器、质谱分析、微通道板检测器、静电透镜原子能仪器。

技术指标：

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应用场景：半导体前制程设备如(ICP&CCP)ETCH、CVD、SACVD 等设备中；优化产品输入功率、流体等关键参数，可提供更高的工艺一致性、稳定性、可重复性。

特点和指标：

·关键陶瓷原材料自主研发及制备；

·高纯度：≥90%，最高达到 99.99%；耐腐蚀性好

·快速的吸附和脱吸附响应速度；

·应用温度范围广；

·具备 L1~L4 的维修能力。

参数：

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应用场景：先导元创流体的流量比例控制器使用特殊的控制阀来提高晶圆的一致性和晶圆与晶圆间的一致性。 这是目前行业内响应最快的流量比例控制器，响应时间小于 1 秒。

主要优势：比率控制精度：±1% S.P.、通道流量控制：0, 2%~100%、重复性：±0.2% S.P、输入比率范围：0, 1%~100%、响应时间：＜ 1.0s。

主要特点：基于位置控制的阀门设计；DNET/ECAT；3或4个通道。

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