概述：SENIS® SENCS1Dx 是一款可编程电流传感器，它采用线性霍尔传感器和线圈相结合的方式，以拓宽测量带宽并提高信噪比，也就是说，提升分辨率。这种组合使该传感器具备了市场上同类传感器中最高的频率带宽。该传感器可提供与所施加的磁场密度成比例的模拟输出电压。该传感器的传输特性在出厂时已针对温度进行了校准微调，并且在客户进行生产线末端校准（超出默认的出厂校准微调范围）时，其可编程参数包括偏移量、灵敏度、滤波等。在典型的电流传感应用中，该传感器需与一个环形软磁芯配合使用。对于高带宽应用场景，建议采用铁氧体或叠片式软磁芯。

应用：电机驱动、电池充电、电力电子、短路保护、电力传输。

初步规格：

灵敏度平行或垂直于芯片表面；

超快响应时间 <0.5us；

32 个可选输出范围，从 5mT 到 1T；

磁场分辨率：0.5uT；

大 f 带宽：DC 至 1MHz；

静态参考输出，可在 0-5V 范围内进行调整；

模拟输出（比例和非比例）；

工作温度：-40 / +150C；

电源：3.3V-5.5V;欠压/过压检测；

销售电话：15601837360

静电放电：4kV

概述：F3A 代表了 SENIS 品牌的一系列磁场 - 电压传感器，该系列传感器配备了完全集成的三轴霍尔探头。所使用的霍尔探头包含一个互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，该集成电路集成了三组相互正交的霍尔元件、偏置电路、放大器以及一个温度传感器。集成的霍尔元件仅占据非常小的面积（0.15×0.15 平方毫米），这使得该探头具有极高的空间分辨率。

• 完全集成的互补金属氧化物半导体（CMOS）三轴霍尔探头（可测量 Bx、By、Bz 方向的磁场），可使用其中一个、两个或三个通道。
• 极高的空间分辨率：By 方向的空间分辨率为 0.03×0.005×0.03 立方毫米；Bx 和 Bz 方向的空间分辨率为 0.15×0.01×0.15 立方毫米。
• 高角度精度：探头的三个测量轴之间的正交误差小于 1°，通过应用经过大幅改进的测量算法，其测定精度优于 0.1°。
• 高频率带宽（-3 分贝）：最大范围从直流到 25 千赫兹。
• 极低的平面霍尔电压。
• 探头中集成了用于温度补偿的温度传感器。
• 探头上的感应回路可忽略不计，等等。
  

• 永磁体的特性分析和质量控制。
• 磁体系统的研发。
• 真实的三维磁场测绘。
• 磁体系统（如发电机、电动机等）的质量控制和监测。

销售电话：15601837360

• 在实验室和生产线等场合的应用。

概述：SENIS CS 系列电流传感器能够进行低电流传感，并且具备高压隔离能力。SENIS CS 传感器集成了迈来芯（Melexis）公司的 MLX91208 高灵敏度霍尔集成电路以及一个多匝线圈，以进一步提高灵敏度。

适用于实验室以及生产线等场景；

由于其设计特点，CS 传感器可用于任何需要持续进行电流传感的应用中（无时间限制）。

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概述：SENIS 三轴交流磁传感器 3DACMT-1 是一款紧凑型仪器，能够在较小的体积内以极高的分辨率测量交变磁场的所有三个分量。它在一个小立方体中集成了三组相互正交的线圈、模拟积分器和放大器，并生成三路高电平输出信号，这些信号不受电磁干扰的影响。传感立方体完全不导磁，因此不会干扰外部磁场。SENIS 3DACMT-1 传感器非常适合在嘈杂的环境中测量和绘制交流磁场，其磁场分辨率优于 1.5 微特斯拉。

关键特性：

- 频率范围为10千赫兹至200千赫兹；

- 磁场分辨率优于1.5微特斯拉（均方根值）；

- 探头体积小，约为4立方厘米 ；

- 非侵入性：探头不会改变所测量的磁场 ；

- 具有高度线性的响应 - 高转换精度，达±1% ；

- 高相位精度：在85千赫兹时小于3°； - 出色的角度精度，小于±1°；

- 串扰可忽略不计；

- 三个轴的线圈具有共同的中心 ；

- 对电场或电容耦合不敏感 - 模拟输出 。

电气参数：

全测量范围：±10 毫特斯拉；

输出信号：双极性、单端输出，幅值范围为 0 伏至 ±5 伏；

灵敏度：500 毫伏 / 毫特斯拉；

磁场分辨率：三个轴的磁场分辨率均优于 1.5 微特斯拉（均方根值）；

磁场非线性度：当频率 f＜100 千赫兹时，小于 1%；

测量带宽：10 千赫兹至 200 千赫兹；

相移：在 85 千赫兹时优于 3°；

最小负载阻抗：10 千欧；

输出电阻：小于 60 欧；

测量范围内的杂散信号：峰值小于 50 微伏（折合到输入端小于 100 纳特斯拉）；

电流消耗：在 ±12 伏供电时，电流消耗为 ±45 毫安。

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产品介绍：Contact Strip300采用 Paliney-7材料，高强度、高硬度、弹性好、接触电阻低且稳定广泛用于印刷电路的滑动接点和低压直流回路的开关接点。可与大多数电位计绕组及贵金属滑环匹配，耐磨性好，噪音电平低，是一种理想的轻负荷弹性接点材料。

应用场景：电位器电刷、低压直流通断触点、集成电路接点。

主要特点：高强度、高硬度；弹性好、接触电阻低且稳定；耐磨型好、抗环境气氛腐蚀和抗电侵蚀 ；对标国际标准《ASTM B540-97》。

技术指标：

销售电话：156o183736o

应用场景：MOCVD 外延生长过程中,需要对生长的各种参数和设备状况进行原位实时监测和控制 , 以便有效实现外延生长，避免废品，提高重现性和设备效能。VSI Link RTC-100 原位监测装置有非接触辐射温度计、反射率计、翘曲率计,它们实现的原位监测功能为：温度测量和加热控制、外延生长的薄膜厚度和生长速率测量、外延片生长时的材料应力及翘曲测量。

主要特点：实时监测工艺过程中反射率、温度、翘曲度等参数；温度实时补偿算法；晶圆选择性生长率分析；支持单片或多片晶圆测量；基于 TCP/IP协议软件接口及多种模拟信号输出 ；支持历史记录的调用比对和参数校准功能；具备良好的人机交互和完备的功能。

技术指标：

销售电话：156o183736o

产品概述：VMS- TEB- ***L 系列的半导体水浴恒温槽整机采用先进的内循环/外循环泵系统。内循环通过半导体制冷器和先进的PID 控温程序保证内腔温度均匀恒定，外循环泵可以把槽内恒温液体的热量引到第二恒温场。产品采用高亮SUS304不锈钢结构，具备高耐蚀性，更适用洁净室使用；该系列产品具有较高的COP，低功耗，高性能，控制精度高，内置液检测开关及多种报警装置，安全耐用，运行数据和报警信息可以同步上传到 PC 系统。

主要优势：紧凑设计、精准控温、超低噪音、高可靠性、可编程、符合Rohs要求。

应用领域：医疗分析 & 试验设备；化学分析；生物工程；医药卫生；半导体气相沉积（CVD)；化学 / 原子沉积系统；超导磁共振、微波治疗机

技术指标：

销售电话：156o183736o

应用场景：工业激光设备，如激光焊接、激光切割、激光打码、医疗设备、激光测距等

特点和指标：

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应用场景：VSI POF1550T是一个单通道、非接触光纤高温计，产品基于黑体辐射理论接收待测物体发射的能量并转化为温度。VSI POF1200T 可以按照待测物的材料属性和测温范围配置不同的波长，测量距离从3毫米到3米，测温范围达 150 到 1200 摄氏度。

主要特点：·可广泛应用于半导体领域，如 Epi、PECVD ，LPCVD，PVD 和 MOCVD；·支持多通道级联实现多路温度实时监测；·非接触，可实现原位温度测量；·高精度温度监测，可达 ±1.5°C；·小巧，低成本，可取代传统热电偶方案，大幅提高晶圆之间的一致性。

技术指标：

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产品介绍：VSI MP-RV-HP-XX 系列高压多通道切换阀采用先进材料和高精密设计，支持多种阀体材料及钝化工艺，满足不用应用场景，最大承压 40Mpa；带驱动的一体式设计，使结构更加紧凑，客户可通过数字通信接口或I/O 信号直接控制通道切换，无需开发控制界面缩短产品上市周期。

应用场景：广泛应用于液相色谱仪、快速溶剂萃取仪、质谱仪等实验室分析仪器。

主要特点：高精密和可靠性；最大承压高达 40Mpa (5800 psi)；流道孔径最小 0.1mm，最小化死体积设计，避免交叉污染；多通道可选：3/4/6/8/10/12 通道或定制；集成驱动电路，体积小巧易于集成，支持 RS232, RS485 和 I/O 控制；快速通道切换，端口切换时间小于 120ms。

技术指标：

销售电话：156o183736o